yabo娱乐平台:SICMOSFET驱动电路设计概述

激光雕刻机 | 2021-05-17
本文摘要:一、SICMOSFET的特点1、通断电阻器随溫度弹性系数较小,高溫状况下导通电阻器很低,能在凶险的自然环境下非常好的工作中。

一、SICMOSFET的特点1、通断电阻器随溫度弹性系数较小,高溫状况下导通电阻器很低,能在凶险的自然环境下非常好的工作中。2、伴随着门趋于电压的提高,通断电阻器就越小,展示出更为类似于压控电阻器。3、通车务必门趋于正电荷较小,整体驱动功率较低,其体二极管Vf较高,但反向恢复性非常好,能够降低通车耗损。

4、具有更为小的结电容,软启动器速率比较慢,软启动器耗损更为小。5、开关损耗小,能够进行高压电源姿势,促使过滤器等无源器件微型化,提高功率。

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6、通车电压小于小于SI元器件,举荐用以Vgs为18V或是20V,尽管开启电压仅有2.7V,但仅有驱动电压超出18V~20V时才可以基本上通车。7、误将启动耐心稍弱,务必数字功放钳位电源电路或是造成胜电压防止其误将启动。图1ST企业SICMOSFET主要参数图2ST企业IGBT主要参数二、SICMOSFET对驱动的回绝1、启动单脉冲有比较慢的降低速率和升高速率,脉冲前沿和后沿要陡。

2、驱动电路的电阻器没法过度大,通车时比较慢对栅极电容电池,软启动器时栅极电容器必须比较慢静电感应。3、驱动电路必须获得充裕大的驱动电流量4、驱动电路必须获得充裕大的驱动电压,递减小SICMOSFET的通断耗损。

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5、驱动电路应用负压力软启动器,防止欺诈合,加强其抗干扰性。6、驱动电路全部驱动电路寄主电感器要小,驱动电路尽量周边整流管。7、驱动电路最高值电流量Imax要更高,扩大斯泰格服务平台的延迟时间,提高开关电源速率。

三、SICMOSFET驱动电路设计针对有IGBT驱动电路设计工作经验的技术工程师而言,SICMOSFET驱动电路的设计与IGBT驱动电路的设计类似,能够在本来的驱动电路上进行修改主要参数进行设计。驱动开关电源的设计SICMOSFET开关电源的设计,依据其特点,务必有负压力软启动器和相比SIMOSFET较高的驱动电压,一般设计开关电源为-6V~+22V,依据各有不同生产厂家的各有不同Datasheet大伙儿随意选择合适的开关电源正负极电压的设计,这儿只能出一个含糊的设计范畴。能够将IGBT控制模块驱动开关电源进行稍为修改用以在这儿,例如,特斯拉汽车在共存IGBT和SICIGBT上全是用反激开关电源,确立电源电路参考历史时间文章内容中对特斯拉汽车ModelS与Model3的硬件配置数据分析中,还可以用以开关电源,例如中国保证的比较好的金升阳的开关电源,能够降低设计可玩度,但成本费也不会适度的提高。

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驱动电路的设计驱动处理芯片,英飞凌和ST都是有适度的驱动处理芯片,而且本来英飞凌作为IGBT驱动的1ED系列产品和2ED系列产品都能够用在SICMOSFET的驱动电路,如下图下图,英飞凌对SICMOSFET驱动IC的解读,确立的主要参数小伙伴们能够参考英飞凌的Datasheet(录:并不是在为了谁做广告,由于经常用英飞凌的商品,比较熟识就拿出来比照)。ST也是有适度的门极驱动处理芯片,如Model3上用以的STGAP1AS,确立的说明书大伙儿能够查看ST官方网站的Datasheet,或是修复文中题型:SICMOSFET驱动电路设计论述,将不容易得到 适度的Datasheet。


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